[发明专利]一种LED芯片的电极制备方法在审

专利信息
申请号: 201711010437.3 申请日: 2017-10-24
公开(公告)号: CN109698262A 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 李晓明;刘琦;闫宝华;汤福国;肖成峰;郑兆河 申请(专利权)人: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36
代理公司: 济南日新专利代理事务所 37224 代理人: 王书刚
地址: 261061 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种LED芯片的电极制备方法,包括如下步骤:(1)在外延层表面依次镀上粘结层、缓冲层和焊接层;(2)在焊接层表面涂正性光刻胶,通过光刻得到正性光刻胶的电极图形;(3)对焊接层上对应的电极图形以外的部分腐蚀,然后烘烤LED芯片;(4)对缓冲层腐蚀,然后烘烤LED芯片;(5)对粘结层腐蚀;(6)去除正性光刻胶,得到LED芯片的电极。该方法通过腐蚀一层金属后再对正性光刻胶图形进行烘烤的方式,使下一层金属层图形大于上一层金属层,这样既保证电极结构的完整也确保粘结层大于焊接层,避免了焊线是压力过大导致掉电极的问题,提升了芯片的品质。
搜索关键词: 焊接层 正性光刻胶 烘烤 腐蚀 电极图形 电极制备 缓冲层 粘结层 电极 光刻胶图形 金属层图形 外延层表面 电极结构 上粘结层 金属层 对正 光刻 焊线 去除 芯片 金属 保证
【主权项】:
1.一种LED芯片的电极制备方法,其特征是,包括如下步骤:(1)在LED芯片的外延层表面依次镀上粘结层、缓冲层和焊接层;(2)在步骤(1)蒸镀的焊接层表面涂正性光刻胶,通过光刻得到正性光刻胶的电极图形;(3)将LED芯片浸泡在焊接层腐蚀液中,对焊接层上对应的电极图形以外的部分腐蚀,然后烘烤LED芯片;(4)将LED芯片浸泡在缓冲层腐蚀液中,对缓冲层腐蚀,因光刻胶经过烘烤后会对缓冲层上再进行保护,腐蚀后的缓冲层图形将大于腐蚀后的焊接层图形,然后烘烤LED芯片;(5)将LED芯片浸泡在粘结层腐蚀液中,对粘结层腐蚀,因光刻胶经过烘烤后会对粘结层上再进行保护,腐蚀后的粘结层图形将大于腐蚀后的缓冲层图形;(6)去除正性光刻胶,得到LED芯片的电极。
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