[发明专利]一种LED芯片的电极制备方法在审
| 申请号： | 201711010437.3 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109698262A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;刘琦;闫宝华;汤福国;肖成峰;郑兆河 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊接层 正性光刻胶 烘烤 腐蚀 电极图形 电极制备 缓冲层 粘结层 电极 光刻胶图形 金属层图形 外延层表面 电极结构 上粘结层 金属层 对正 光刻 焊线 去除 芯片 金属 保证 | ||
1.一种LED芯片的电极制备方法，其特征是，包括如下步骤：
（1）在LED芯片的外延层表面依次镀上粘结层、缓冲层和焊接层；
（2）在步骤(1)蒸镀的焊接层表面涂正性光刻胶，通过光刻得到正性光刻胶的电极图形；
（3）将LED芯片浸泡在焊接层腐蚀液中，对焊接层上对应的电极图形以外的部分腐蚀，然后烘烤LED芯片；
（4）将LED芯片浸泡在缓冲层腐蚀液中，对缓冲层腐蚀，因光刻胶经过烘烤后会对缓冲层上再进行保护，腐蚀后的缓冲层图形将大于腐蚀后的焊接层图形，然后烘烤LED芯片；
（5）将LED芯片浸泡在粘结层腐蚀液中，对粘结层腐蚀，因光刻胶经过烘烤后会对粘结层上再进行保护，腐蚀后的粘结层图形将大于腐蚀后的缓冲层图形；
（6）去除正性光刻胶，得到LED芯片的电极。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的电极制备方法，其特征是，所述步骤（1）中粘结层为Cr或Au或Ge，厚度为0.02-0.06μm。
3.根据权利要求1所述的LED芯片的电极制备方法，其特征是，所述步骤（1）中粘结层为Au，厚度为0.05-0.08μm。
4.根据权利要求1所述的LED芯片的电极制备方法，其特征是，所述步骤（1）中缓冲层为Ti，厚度为0.08-0.12μm。
5.根据权利要求1所述的LED芯片的电极制备方法，其特征是，所述步骤（1）中焊接层为Au或Al，厚度为1.5-3μm。
6.根据权利要求1所述的LED芯片的电极制备方法，其特征是，所述步骤（1）中焊接层为Al，厚度为2.5-3μm。
7.根据权利要求1所述的LED芯片的电极制备方法，其特征是，所述步骤（2）中，正性光刻胶的厚度为3.8-4.8μm。
8.根据权利要求1所述的LED芯片的电极制备方法，其特征是，所述步骤（3）中烘烤温度为100-120℃，时间为7-15分钟。
9.根据权利要求1所述的LED芯片的电极制备方法，其特征是，所述步骤（4）中烘烤温度为105-115℃，时间为3-7分钟。
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