[发明专利]一种深通孔形成方法

摘要

本发明提供一种深通孔形成方法，属于背照式图像传感器领域，通过在缓冲层中设置停止层以形成上缓冲层、停止层及下缓冲层，通过两次主刻蚀和两次过刻蚀形成深通孔。本发明的有益效果：本发明通过添加停止层可以增加缓冲层厚度均匀性，减少蚀刻工艺时间，减少晶片中心和晶片边缘的每个深通孔速率差异的影响，从而减少中心到边缘负载效应，优化工艺，提高产量。

主权项

1.一种深通孔形成方法，适用于复合结构，所述复合结构由器件晶元和信号运算晶元键合后构成，所述器件晶元包括由上至下依次设置的第一复合层、第二复合层、中氮化硅层及缓冲层，所述信号运算晶元包括由上至下依次设置的所述缓冲层、下氮化硅层及第三复合层，所述第一复合层中设有一沟槽，所述沟槽底部暴露所述第二复合层的上表面，所述下氮化硅层和所述第三复合层中设有一顶层金属；其特征在于，所述缓冲层包括上缓冲层、停止层及下缓冲层；所述深通孔形成方法包括：步骤S1、沉积一光刻胶层，所述光刻胶覆盖所述第一复合层的上表面、所述沟槽的侧壁及所述沟槽的底部，于所述光刻胶层上设置用于形成深通孔的刻蚀窗口以作为刻蚀掩膜；步骤S2、进行第一次主刻蚀，以刻蚀所述第二复合层和一部分所述上缓冲层并止于所述上缓冲层中；步骤S3、进行第一次过刻蚀，以刻蚀另一部分所述上缓冲层和所述停止层并止于所述下缓冲层的上表面；步骤S4、进行第二次主刻蚀，以刻蚀一部分所述下缓冲层并止于所述下缓冲层中；步骤S5、进行第二次过刻蚀，以刻蚀另一部分所述下缓冲层和一部分所述下氮化硅层并止于位于所述顶层金属上方的另一部所述下氮化硅层中，以形成所述深通孔。