[发明专利]一种深通孔形成方法有效

申请号：	201711009812.2	申请日：	2017-10-25
公开（公告）号：	CN107658323B	公开（公告）日：	2019-11-01
发明（设计）人：	孟凡顺;易幻	申请（专利权）人：	武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146;H01L21/768;H01L23/48
代理公司：	上海申新律师事务所 31272	代理人：	俞涤炯
地址：	430205 湖北***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	一种深通形成方法
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【权利要求书】：

1.一种深通孔形成方法，适用于复合结构，所述复合结构由器件晶元和信号运算晶元键合后构成，所述器件晶元包括由上至下依次设置的第一复合层、第二复合层、中氮化硅层及缓冲层，所述信号运算晶元包括由上至下依次设置的所述缓冲层、下氮化硅层及第三复合层，所述第一复合层中设有一沟槽，所述沟槽底部暴露所述第二复合层的上表面，所述下氮化硅层和所述第三复合层中设有一顶层金属；其特征在于，所述缓冲层包括上缓冲层、停止层及下缓冲层；

所述深通孔形成方法包括：

步骤S1、沉积一光刻胶层，所述光刻胶覆盖所述第一复合层的上表面、所述沟槽的侧壁及所述沟槽的底部，于所述光刻胶层上设置用于形成深通孔的刻蚀窗口以作为刻蚀掩膜；

步骤S2、进行第一次主刻蚀，以刻蚀所述第二复合层和一部分所述上缓冲层并止于所述上缓冲层中；

步骤S3、进行第一次过刻蚀，以刻蚀另一部分所述上缓冲层和所述停止层并止于所述下缓冲层的上表面；

步骤S4、进行第二次主刻蚀，以刻蚀一部分所述下缓冲层并止于所述下缓冲层中；

步骤S5、进行第二次过刻蚀，以刻蚀另一部分所述下缓冲层和一部分所述下氮化硅层并止于位于所述顶层金属上方的另一部所述下氮化硅层中，以形成所述深通孔。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述缓冲层为氧化硅缓冲层。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，第一复合层包括由上至下依次设置的正硅酸乙酯层、上氧化硅缓冲层、金属氧化物层及硅层。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二复合层包括由上至下依次设置的氧化硅电介质隔层、含碳的上氮化硅层、含碳的上氧化硅层、含碳的中氮化硅层、含碳的中氧化硅层、含碳的上氧化硅层、含碳的下氮化硅层、含碳的下氧化硅层。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述第三复合层包括由上至下依次设置的下氧化硅缓冲层及含碳的底部氮化硅层。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述深通孔形成方法还包括：

步骤S6、进行第一次清理，以去除所述光刻胶层。