[发明专利]一种高EB双极性半导体保护器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高EB双极性半导体保护器件，包括芯片，芯片左上方设置2个NPN晶体管，芯片左下方设置2个PNP晶体管，芯片中部设置2个SCR晶闸管，芯片右部设置2个TRIAC晶闸管。制造方法，包括提供N型CZ衬底硅片；将硅片衬底进行高温长时间湿氧氧化；P型隔离墙光刻；P型隔离墙扩散；二次光刻；基区扩散1；三次光刻；基区扩散2；四次光刻；磷扩散；LPCVD；五次光刻；金属化；六次光刻（金属反刻）；铝合金；背面金属化。本发明通过半导体功率器件建模仿真软件，在硅基内部集成PNP、NPN 晶体管、SCR闸流管、交流开关TRAIC多型源胞单元，通过合理版图布局，利用晶体管高EB电压特性、SCR触发导通机理、TRAIC双向导通、双向阻断特性实现集成互补、双极性保护功能。

主权项

一种高EB双极性半导体保护器件，其特征在于：包括芯片，所述芯片左上方设置2个以N型硅片衬底的NPN晶体管，所述芯片左下方设置2个PNP晶体管，所述芯片中部设置上下排列的2个SCR晶闸管，所述芯片右部区域设置上下排列的2个TRIAC晶闸管。