[发明专利]一种高EB双极性半导体保护器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高EB双极性半导体保护器件，其特征在于：包括芯片，所述芯片左上方设置2个以N型硅片衬底的NPN晶体管，所述芯片左下方设置2个PNP晶体管，所述芯片中部设置上下排列的2个SCR晶闸管，所述芯片右部区域设置上下排列的2个TRIAC晶闸管。

2.根据权利要求1所述的一种高EB双极性半导体保护器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：提供N型CZ衬底硅片，进行双面抛光，电阻率30-35Ω·cm，片厚度210±5μm；

步骤2：将硅片衬底进行高温长时间湿氧氧化，T=1150±10℃，t=7h[1小时干氧+5小时湿氧+1小时干氧]，氧化层厚度dsio2≥1.4μm；

步骤3：P型隔离墙光刻，采用双面光刻机，SIO2腐蚀液，100负性光刻胶；

步骤4：P型隔离墙扩散，离子注入条件：4.20E+15，160KV，再扩散条件：T=1270℃，t=20h；

步骤5：二次光刻，采用SIO2腐蚀液，100负性光刻胶；

步骤6：基区扩散1，离子注入条件：1.20E+13，80KV，硼再扩散条件：T=1265℃，t=40h；

步骤7：三次光刻，采用SIO2腐蚀液，100负性光刻胶；

步骤8：基区扩散2，硼预淀积，T=980℃，t=60min，要求：R_□=25-26Ω/□，硼再扩散，T=1250℃，t=4h+12h（通2.5h湿氧），调试片要求：R_□= 42-44Ω/□，x_j=20µm，d_SiO2＞10000A；

步骤9：四次光刻，采用SIO2腐蚀液，100负性光刻胶；

步骤10：磷扩散，磷预淀积条件： T=1085℃、t=120min(通源)，要求：R□= 0.9-0.95Ω/□，磷再扩散（需调试）条件：T=1200℃、t=60±Xmin湿氧；

步骤11：LPCVD，条件：SIPOS T=650℃、t=40min；

步骤12：五次光刻，采用SIO2腐蚀液，450负性光刻胶；

步骤13：金属化：双面蒸发铝，厚度2µm；

步骤14：六次光刻（金属反刻），采用铝腐蚀液，450负性光刻胶；

步骤15：铝合金，T=500℃、t=30min；

步骤16：背面金属化，TI-NI-AG厚度分布为0.1/0.4/0.8µm；

步骤17：芯片测试；

步骤18：划片。

3. 根据权利要求1所述的一种高EB双极性半导体保护器件，其特征在于：所述N型硅片电阻率为30~35 欧姆·厘米，晶向＜111＞，厚度210±5μm。