[发明专利]OLED背板的制作方法有效

申请号：	201711004263.X	申请日：	2017-10-24
公开（公告）号：	CN107611085B	公开（公告）日：	2019-12-24
发明（设计）人：	刘方梅	申请（专利权）人：	深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
代理公司：	44265 深圳市德力知识产权代理事务所	代理人：	林才桂
地址：	518132 广东省深***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明提供一种OLED背板的制作方法。该方法通过依次沉积第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、及第三氧化物半导体层，得到薄膜晶体管的有源层，通过使得第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层沉积时通入的氩气和氧气的流量比大于第二氧化物半导体层沉积时通入的氩气和氧气的流量比，使得第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层的氧含量大于第二氧化物半导体层的氧含量，从而提升薄膜晶体管器件的有源层的导电性，减少界面缺陷，提升薄膜晶体管器件的稳定性。
搜索关键词：	oled 背板制作方法
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【主权项】：

1.一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上形成缓冲层(3)；/n步骤S2、在所述缓冲层(3)上沉积第一氧化物半导体层(41)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第一比值；/n步骤S3、在所述第一氧化物半导体层(41)上沉积第二氧化物半导体层(42)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第二比值；/n步骤S4、在所述第二氧化物半导体层(42)上沉积第三氧化物半导体层(43)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第三比值，得到包括所述第一氧化物半导体层(41)、第二氧化物半导体层(42)、及第三氧化物半导体层(43)的有源层(4)；/n步骤S5、在所述有源层(4)上形成栅极绝缘层(5)和位于所述栅极绝缘层上的栅极(6)；/n步骤S6、在所述有源层(4)、栅极(6)、及栅极绝缘层(5)上覆盖层间绝缘层(7)；/n步骤S7、在所述层间绝缘层上形成源极(81)和漏极(82)；/n所述第一比值和第三比值均大于所述第二比值；/n所述第一比值和第三比值均为1：4至1：2，所述第二比值为1：20至1：10。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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