[发明专利]OLED背板的制作方法

权利要求书

1.一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上形成缓冲层(3)；

步骤S2、在所述缓冲层(3)上沉积第一氧化物半导体层(41)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第一比值；

步骤S3、在所述第一氧化物半导体层(41)上沉积第二氧化物半导体层(42)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第二比值；

步骤S4、在所述第二氧化物半导体层(42)上沉积第三氧化物半导体层(43)，在沉积的同时通入氩气和氧气，所述氩气和氧气的流量比为第三比值，得到包括所述第一氧化物半导体层(41)、第二氧化物半导体层(42)、及第三氧化物半导体层(43)的有源层(4)；

步骤S5、在所述有源层(4)上形成栅极绝缘层(5)和位于所述栅极绝缘层上的栅极(6)；

步骤S6、在所述有源层(4)、栅极(6)、及栅极绝缘层(5)上覆盖层间绝缘层(7)；

步骤S7、在所述层间绝缘层上形成源极(81)和漏极(82)；

所述第一比值和第三比值均大于所述第二比值；

所述第一比值和第三比值均为1：4至1：2，所述第二比值为1：20至1：10。

2.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述第一氧化物半导体层(41)及第三氧化物半导体层(43)的厚度为50至所述第二氧化物半导体层(42)的厚度为200至

3.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述第一氧化物半导体层(41)、第二氧化物半导体层(42)、及第三氧化物半导体层(43)的材料均为IGZO，所述缓冲层(3)和栅极绝缘层(5)的材料均为氧化硅和氮化硅中的一种或二者的组合。

4.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：在所述衬底基板(1)和缓冲层(3)之间形成遮光层(2)，所述遮光层(2)遮挡所述有源层(4)。

5.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括：

在所述有源层(4)和缓冲层(3)上沉积栅极绝缘薄膜，在所述栅极绝缘薄膜上沉积栅极金属薄膜；

通过一道光罩制程图案化所述栅极金属薄膜，形成栅极(6)；

以所述栅极为遮挡蚀刻所述栅极绝缘薄膜，形成栅极绝缘层(5)。

6.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中所述栅极(6)和栅极绝缘层(5)覆盖所述有源层(4)的中央，并暴露所述有源层(4)的两端；

在所述步骤S5和步骤S6之间还包括如下步骤：对所述有源层(4)进行等离子处理，使得所述有源层(4)的两端的电阻降低，形成N+导体层。

7.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S6还包括：对所述层间绝缘层(7)进行图案化，形成分别暴露出所述有源层(4)的两端的第一过孔(71)和第二过孔(72)，所述步骤S7中源极(81)和漏极(82)分别通过第一过孔(71)和第二过孔(72)与所述有源层(4)的两端接触。

8.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，还包括：

步骤S8、在所述层间绝缘层(7)、源极(81)、和漏极(82)上沉积钝化层(9)，并对所述钝化层(9)进行图案化，形成暴露出所述漏极(82)的第三过孔(91)；

步骤S9、在所述钝化层(9)上形成第一电极(10)，所述第一电极(10)通过所述第三过孔(91)与所述漏极(82)接触；

步骤S10、在所述第一电极(10)和钝化层(9)上形成像素定义层(11)，并对所述像素定义层(11)进行图案化，形成暴露出所述第一电极(10)的像素定义槽(111)；

步骤S11、在所述像素定义槽(111)内形成有机发光层(12)，在所述像素定义层(11)和有机发光层(12)上形成第二电极(13)。

9.如权利要求8所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述第一电极(10)为透明电极，所述第二电极(13)为反射电极。