[发明专利]一种发光效率高的LED外延结构的制作方法在审
| 申请号： | 201711000089.1 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107768493A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 彭泽滔;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，采用MOCVD技术，在衬底上依次生长缓冲层、未掺杂Si的U型GaN层、掺杂Si的N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层，在N型GaN层和有源层之间生长V型开角层，V型开角层用于引导V型缺陷的延伸方向，V型开角层的生长压力不高于300torr,厚度不大于500nm，生长温度不小于800℃；因此，利用本发明的制作方法能够制作出发光效率高的LED外延结构，使V型缺陷在V型开角层所在的方向上延伸，进一步增大开角，从而在侧壁方向上生长更快，降低了局部电流，能够有效的拦截电子，抑制电子溢出，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 效率 led 外延 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，采用MOCVD技术，在衬底(200)上依次生长缓冲层(201)、未掺杂Si的U型GaN层(202)、掺杂Si的N型GaN层(203)、有源层(205)、电子阻挡层(206)和P型GaN层(207)，其特征在于：在所述N型GaN层(203)和有源层(205)之间生长V型开角层(204)，所述V型开角层(204)用于引导V型缺陷的延伸方向，所述V型开角层(204)的生长压力不高于300torr,厚度不大于500nm，生长温度不小于800℃。
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