[发明专利]一种发光效率高的LED外延结构的制作方法在审
| 申请号： | 201711000089.1 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107768493A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 彭泽滔;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光 效率 led 外延 结构 制作方法 | ||
1.一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，采用MOCVD技术，在衬底(200)上依次生长缓冲层(201)、未掺杂Si的U型GaN层(202)、掺杂Si的N型GaN层(203)、有源层(205)、电子阻挡层(206)和P型GaN层(207)，其特征在于：在所述N型GaN层(203)和有源层(205)之间生长V型开角层(204)，所述V型开角层(204)用于引导V型缺陷的延伸方向，所述V型开角层(204)的生长压力不高于300torr,厚度不大于500nm，生长温度不小于800℃。
2.根据权利要求1所述的一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述V型开角层(204)的生长温度比所述N型GaN层(203)的生长温度低200-300℃，所述V型开角层(204)的In含量比所述有源层(205)的In含量低。
3.根据权利要求1所述的一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述V型开角层(204)的生长压力为50-300torr，厚度为150-500nm，生长温度为800-1000℃。
4.根据权利要求1所述的一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述V型开角层(204)为由掺In的InxGa1-xN层(2041)和掺Ga杂质层(2042)间隔交替形成的超晶格层，其中0<X<1，所述超晶格层的层数为3-8。
5.根据权利要求1所述的一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述缓冲层(201)的生长温度为500-600℃或900-1100℃，厚度为1-2μm。
6.根据权利要求1所述的一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述U型GaN层(202)的生长温度为1100-1200℃，厚度为1-2μm。
7.根据权利要求1所述的一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述N型GaN层(203)的生长温度为1100-1200℃，厚度为1-2μm，Si的掺杂浓度为1E18-9E18cm-3。
8.根据权利要求1所述的一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述有源层(205)的生长温度为700-800℃，厚度为100-200nm。
9.根据权利要求1所述的一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述电子阻挡层(206)的生长温度为900-1000℃，厚度为30-80nm。
10.根据权利要求1-9任一所述的一种发光效率高的LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述P型GaN层(207)的生长温度为950-1100℃，厚度为40-90nm。
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