[发明专利]一种沟槽栅型IGBT及其制作方法在审
| 申请号： | 201710992964.2 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698235A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱利恒;戴小平;覃荣震 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 陈晖 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅型IGBT及其制作方法，沟槽栅型IGBT包括:从上至下依次层叠布置的P基区、N型漂移区、N型缓冲层和集电极区。至少两个沟槽栅自P基区的正面贯穿P基区，并延伸至N型漂移区。沟槽栅型IGBT还包括：分别形成于两个沟槽栅底部的埋氧化层，及形成于埋氧化层之上的N型增强层。两个埋氧化层之间设置有间隔以形成电流通道，N型增强层包围沟槽栅的底部。本发明能够解决现有沟槽栅型IGBT依靠双载流子导电，其导通电流能力受漂移区载流子浓度影响，工艺实现十分复杂而且困难的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽栅型 埋氧化层 沟槽栅 基区 载流子 增强层 从上至下 导通电流 电流通道 工艺实现 集电极区 依次层叠 漂移区 导电 制作 包围 贯穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅型IGBT，包括从上至下依次层叠布置的P基区(1)、N型漂移区(3)、N型缓冲层(4)和集电极区(5)；至少两个沟槽栅(10)自所述P基区(1)的正面贯穿所述P基区(1)，并延伸至所述N型漂移区(3)；其特征在于，所述沟槽栅型IGBT还包括：分别形成于两个沟槽栅(10)底部的埋氧化层(11)，及形成于所述埋氧化层(11)之上的N型增强层(2)；两个埋氧化层(11)之间设置有间隔(12)以形成电流通道，所述N型增强层(2)包围所述沟槽栅(10)的底部。
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