[发明专利]一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺有效
| 申请号： | 201710989564.6 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698261B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 徐晓强;刘琦;闫宝华;汤福国;彭璐;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，包括如下步骤：a)在LED芯片表面对ITO接触层的ITO膜层蒸镀；b)高温退火；c)在蒸镀后的ITO接触层上蒸镀ITO粗化层；d)对LED芯片的ITO粗化层进行粗化处理。通过进行两次蒸镀ITO，底层ITO膜层即ITO接触层在低速率、无氧环境下沉积的膜层表面较为光滑，整体颗粒较小，与外延层表面之间能够形成良好的接触，顶层ITO膜层即ITO粗化层在高速率、有氧环境下进行蒸镀，初步完成粗化过程，然后进行完全粗化形成ITO完全粗化层，实现了不同折射率ITO膜层的堆叠.这样，外延层、ITO接触层、ITO粗化层、空气之间折射率逐渐变化，能够更大幅度的增加整个LED管芯的出光效率，有益于整体亮度的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 晶片 表面 ito 膜层粗化 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：a)在LED芯片生长完成ITO接触层（3）后利用电子束蒸发台在LED芯片表面对ITO接触层（3）的ITO膜层蒸镀，蒸镀速率为0.05埃/秒‑0.5埃/秒，蒸镀厚度为100埃‑600埃；b)将LED芯片放入管式退火炉中进行高温退火，退火温度为600‑650℃。
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