[发明专利]一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺

权利要求书

1.一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：

a)在LED芯片生长完成ITO接触层（3）后，在无氧环境下利用电子束蒸发台在LED芯片表面对ITO接触层（3）的ITO膜层蒸镀，蒸镀速率为0.05埃/秒-0.5埃/秒，蒸镀厚度为100埃-600埃；

b)将LED芯片放入管式退火炉中进行高温退火，退火温度为600-650℃；退火时间为5-15min，退火处理是在有氧环境下退火，退火时的通氧量为3-10SLPM；

c)在有氧环境下，将退火后的LED芯片利用电子束蒸发台在蒸镀后的ITO接触层（3）上蒸镀ITO粗化层（4），蒸镀速率为3埃/秒-5埃/秒，蒸镀厚度为500埃-3000埃；

d)对LED芯片的ITO粗化层（4）进行粗化处理，使ITO粗化层（4）变为ITO完全粗化层（5）。

2.根据权利要求1所述的LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于：所述步骤d)中的粗化处理为湿法腐蚀ITO，将步骤c)中蒸镀完ITO粗化层（4）后的LED芯片置入盐酸与双氧水的混合溶液中进行腐蚀，腐蚀时间为5-15秒，腐蚀后的LED芯片洗净表面的腐蚀液后进行表面干燥处理，所述腐蚀液中盐酸的质量份数为36%-38%，盐酸的密度为1.10-1.25g/ml，所述双氧水的质量份数为30%-32%，双氧水的密度为1.11-1.13g/ml。

3.根据权利要求1所述的LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于：所述步骤d)中的粗化处理为等离子表面处理，将步骤c)中蒸镀完ITO粗化层（4）后的LED芯片置入氧气等离子体设备中进行等离子体轰击处理，等离子体轰击时间为30-50min，功率为900-1000W。

4.根据权利要求1所述的LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于：所述LED芯片为在衬底（1）上生长完成外延层（2）的外延晶片。

5.根据权利要求1所述的LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于：所述步骤a)中的ITO膜层蒸镀是在温度为280-330℃，真空环境为3.0E-6Torr的真空度环境下进行蒸镀，步骤c)中的蒸镀ITO粗化层（4）是在温度为280-330℃，真空环境为9.0E-6Torr的真空度环境下进行蒸镀。

6.根据权利要求2所述的LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于：所述腐蚀液中盐酸与双氧水的体积比例为1:5。

7.根据权利要求2所述的LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于：腐蚀后的LED芯片通过去离子水喷淋并通入氮气的方式进行清洗，清洗时间为5-15min。

8.根据权利要求2所述的LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于：清洗后的LED芯片通过旋干机或使用热氮气吹干的方式干燥处理。