[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201710985713.1 申请日: 2017-10-20
公开(公告)号: CN107968634A 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 沟神正和 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/195;H03F3/217
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 李兰,孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体器件。在相关技术的半导体器件中,存在的问题是,不能有效抑制源自由矩形波信号驱动的功率放大器中的二次谐波失真。根据实施例,半导体器件生成发送信号(RF_OUT),发送信号(RF_OUT)用于通过接收占空比低于50%的第一发送脉冲(INd_P)和第二发送脉冲(INd_N)来驱动天线,将第一发送脉冲(INd_P)和第二发送脉冲(INd_N)之间的相位差调节成预定的相位差,并且将相位差调节后的第一发送脉冲(INd_P)和第二发送脉冲(INd_N)供应到功率放大器(54)。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:相位差调节电路,所述相位差调节电路被配置成接收占空比低于50%的第一发送脉冲和占空比低于50%的第二发送脉冲,并且校正所述第二发送脉冲相对于所述第一发送脉冲的相位差的量,所述第二发送脉冲的相位从所述第一发送脉冲的相位延迟;功率放大器,所述功率放大器被配置成基于从所述相位差调节电路输出的所述第一发送脉冲和所述第二发送脉冲来生成发送信号,并且由所述发送信号来驱动天线;以及相位差设置电路,所述相位差设置电路被配置成根据所述第一发送脉冲和所述第二发送脉冲之间的相位差来生成相位控制值,并且通过将所述相位控制值提供到所述相位差调节电路来控制所述第一发送脉冲和所述第二发送脉冲之间的相位差的量。
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