[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

相位差调节电路，所述相位差调节电路被配置成接收占空比低于50％的第一发送脉冲和占空比低于50％的第二发送脉冲，并且校正所述第二发送脉冲相对于所述第一发送脉冲的相位差的量，所述第二发送脉冲的相位从所述第一发送脉冲的相位延迟；

功率放大器，所述功率放大器被配置成基于从所述相位差调节电路输出的所述第一发送脉冲和所述第二发送脉冲来生成发送信号，并且由所述发送信号来驱动天线；以及

相位差设置电路，所述相位差设置电路被配置成根据所述第一发送脉冲和所述第二发送脉冲之间的相位差来生成相位控制值，并且通过将所述相位控制值提供到所述相位差调节电路来控制所述第一发送脉冲和所述第二发送脉冲之间的相位差的量。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相位差设置电路确定所述相位控制值，使得所述第一发送脉冲和所述第二发送脉冲之间的所述相位差变成180度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相位差设置电路包括：

相位差检测器，所述相位差检测器被配置成输出矩形波作为相位差检测信号，所述矩形波具有与输入到所述功率放大器的所述第一发送脉冲的上升沿对应的上升沿和与输入到所述功率放大器的所述第二发送脉冲的上升沿对应的下降沿；

平滑电路，所述平滑电路被配置成平滑所述相位差检测信号，并且输出DC(直流)电压信号作为相位差对应电压，所述DC(直流)电压信号具有与所述相位差检测信号的占空比对应的信号电平；

比较电路，所述比较电路被配置成输出测量结果信号，所述测量结果信号的逻辑电平是根据相位差参考电压的幅度和所述相位差对应电压的幅度之间的关系来确定的，所述相位差参考电压具有预定电压值；以及

发送脉冲控制电路，所述发送脉冲控制电路被配置成根据所述测量结果信号来增大或减小所述相位控制值。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述相位差设置电路包括：

第一开关，所述第一开关被配置成选择所述相位差检测信号是否通过所述平滑电路被供应到所述比较电路的非反相输入端；

第二开关，所述第二开关被配置成选择所述相位差参考电压是否被供应到所述比较电路的反相输入端；

第三开关，所述第三开关被配置成选择所述相位差检测信号是否通过所述平滑电路被供应到所述比较电路的所述反相输入端；以及

第四开关，所述第四开关被配置成选择所述相位差参考电压是否被供应到所述比较电路的所述非反相输入端。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述发送脉冲控制电路执行：

第一相位差校正处理，在所述第一相位差校正处理中，通过使包括所述第一开关和所述第二开关的第一开关组导通并且使包括所述第三开关和所述第四开关的第二开关组断开，来增大或减小所述相位控制值；以及

第二相位差校正处理，在所述第二相位差校正处理中，通过使所述第一开关组断开并且使所述第二开关组导通，来增大或减小所述相位控制值。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括占空比调节电路，所述占空比调节电路被配置成根据占空比控制值来校正所述第一发送脉冲和所述第二发送脉冲的占空比，并且将校正后的所述第一发送脉冲和所述第二发送脉冲供应到所述相位差调节电路，其中，

所述发送脉冲控制电路执行：

第一占空比校正处理，在所述第一占空比校正处理中，通过根据由所述比较电路进行的第一平滑电压和占空比参考电压之间的比较的结果增大或减小所述占空比控制值，来将所述第一发送脉冲的占空比校正成预定的特定占空比，所述第一平滑电压是通过由所述平滑电路对所述第一发送脉冲进行平滑而获得的，所述占空比参考电压具有预定电压值；以及

第二占空比校正处理，在所述第二占空比校正处理中，通过根据由所述比较电路进行的第二平滑电压和所述占空比参考电压的比较的结果增大或减小所述占空比控制值，来将所述第二发送脉冲的占空比校正成预定的特定占空比，所述第二平滑电压是通过由所述平滑电路对所述第二发送脉冲进行平滑而获得的。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述占空比的值低于50％。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述功率放大器是包括被输入所述第一发送脉冲和所述第二发送脉冲的差分对和由所述差分对驱动的谐振电路的E类放大器。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述谐振电路包括：

电感器，所述电感器设置在构成所述差分对的两个晶体管的漏极之间；

电容器，所述电容器与所述电感器并联设置；以及

平衡-不平衡变压器，所述平衡-不平衡变压器包括与所述电感器并联设置的初级线圈。