[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201710977775.8 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107958683B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 郑想勋;咸铉周 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074;G11C11/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器件可以包括第一数据储存区域至第四数据储存区域。半导体存储器件可以包括第一电容器组至第四电容器组以及电压发生电路。第一电容器组可以被布置成与第一数据储存区域相邻，以为第一数据储存区域提供第一稳定电压。第二电容器组可以被布置成与第二数据储存区域相邻，以为第二数据储存区域提供第二稳定电压。第三电容器组可以被布置成与第三数据储存区域相邻，以为第三数据储存区域提供第三稳定电压。第四电容器组可以被布置成与第四数据储存区域相邻，以为第四数据储存区域提供第四稳定电压。电压发生电路可以被配置成为第一电容器组至第四电容器组提供内部电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种包括第一数据储存区域至第四数据储存区域的半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：第一电容器组，其被布置成与第一数据储存区域相邻，以为第一数据储存区域提供第一稳定电压；第二电容器组，其被布置成与第二数据储存区域相邻，以为第二数据储存区域提供第二稳定电压；第三电容器组，其被布置成与第三数据储存区域相邻，以为第三数据储存区域提供第三稳定电压；第四电容器组，其被布置成与第四数据储存区域相邻，以为第四数据储存区域提供第四稳定电压；以及电压发生电路，其被配置成为第一电容器组至第四电容器组提供内部电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710977775.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储器件
- 下一篇：3D NAND闪存的存储器系统及其操作方法
