[发明专利]半导体存储器件

说明书

一种半导体存储器件可以包括第一数据储存区域至第四数据储存区域。半导体存储器件可以包括第一电容器组至第四电容器组以及电压发生电路。第一电容器组可以被布置成与第一数据储存区域相邻，以为第一数据储存区域提供第一稳定电压。第二电容器组可以被布置成与第二数据储存区域相邻，以为第二数据储存区域提供第二稳定电压。第三电容器组可以被布置成与第三数据储存区域相邻，以为第三数据储存区域提供第三稳定电压。第四电容器组可以被布置成与第四数据储存区域相邻，以为第四数据储存区域提供第四稳定电压。电压发生电路可以被配置成为第一电容器组至第四电容器组提供内部电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年10月17日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0134099的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种半导体存储器件。

背景技术

半导体存储器件从外部设备接收电源电压。半导体存储器件产生具有半导体存储器件中所需的电压电平的内部电压。半导体存储器件包括由内部电压操作的内部电路。

已经研发了半导体存储器件以通过减小内部电路的面积来降低功耗并提高面积效率。

发明内容

根据一个实施例，可以提供一种半导体存储器件。半导体存储器件可以包括第一数据储存区域、第二数据储存区域、第三数据储存区域以及第四数据储存区域。半导体存储器件可以包括第一电容器组、第二电容器组、第三电容器组、第四电容器组以及电压发生电路。第一电容器组可以被布置成与第一数据储存区域相邻，以为第一数据储存区域提供第一稳定电压。第二电容器组可以被布置成与第二数据储存区域相邻，以为第二数据储存区域提供第二稳定电压。第三电容器组可以被布置成与第三数据储存区域相邻，以为第三数据储存区域提供第三稳定电压。第四电容器组可以被布置成与第四数据储存区域相邻，以为第四数据储存区域提供第四稳定电压。电压发生电路可以被配置成为第一电容器组至第四电容器组提供内部电压。

根据一个实施例，可以提供一种半导体存储器件。半导体存储器件可以包括多个数据储存区域、多个电容器组以及电压发生电路。电容器组可以被配置成为数据储存区域提供稳定电压。电压发生电路可以被配置成为电容器组提供内部电压。每个电容器组可以包括多个电容器。

附图说明

图1是示出根据实施例的示例的半导体存储器件的框图。

图2是示出图1中的半导体存储器件的第一数据储存区域和第一电容器组的框图。

图3是示出根据实施例的示例的半导体存储器件的框图。

具体实施方式

下面将参考示出了实施例的一些示例的附图来描述实施例的各种示例。然而，实施例可以以多种不同的形式来实现，而不应被解释为限于本文所阐述的实施例的示例。相反，提供实施例的这些示例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。在附图中，为了清楚起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可能被夸大。

在下文中，将参考附图来说明实施例的示例。

图1是示出根据实施例的示例的半导体存储器件的框图。

参考图1，半导体存储器件的实施例的示例可以包括第一数据储存区域110、第二数据储存区域210、第三数据储存区域310、第四数据储存区域410、第一电容器组120、第二电容器组220、第三电容器组320、第四电容器组420、在列方向上的第一外围电路区域610、在列方向上的第二外围电路区域620、在行方向上的第一外围电路区域710、在行方向上的第二外围电路区域720以及X孔800。