[发明专利]一种碳量子点荧光材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种碳量子点荧光材料的制备方法。该方法利用等离子增强化学气相沉积技术，通过控制沉积参数，在玻璃基板上交替沉积氢化的碳化硅薄膜(SiCX:H)和氢化的氮化碳薄膜(CNX:H)，然后经过250‑350℃在真空炉中退火，嵌有碳量子点的荧光材料便制备完成。该种制备方法相比于涂覆或基体附着的制备方法不仅省去了高效荧光碳量子点的制备环节，而且荧光碳量子点和多层膜结构浑然一体，薄膜中的氢还可以有效的钝化薄膜中的缺陷，显著提高材料的荧光效率。经过此方法制备的碳量子点荧光材料具有荧光性能稳定，发光效率高，且制备方法简单、绿色环保，故可以很好的应用在各种半导体发光器件中。

主权项

一种碳量子点荧光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）清洗并干燥基板，先将玻璃片置于丙酮中超声清洗5～10分钟，之后利用去离子水对玻璃片超声冲洗4～6分钟，然后再置于无水乙醇中超声清洗5～10分钟，接着利用去离子水对玻璃片再次超声冲洗4～6分钟后用氮气吹干；（2）反应室预抽真空，利用机械泵、罗茨泵或分子泵真空设备在100‑300℃条件下对反应室预抽真空，至压强低于10‑4 ‑10‑5 Pa；（3）嵌有碳量子点荧光薄膜的制备，首先以甲烷和硅烷为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术交替在步骤（2）中的反应室内于玻璃基板上制备嵌有碳量子点的SiCX:H和CNx:H多层膜；（4）退火过程，把经过以上步骤沉积的多层膜放置于真空炉中加热到250‑ 350 ℃，保持10‑30 min，并在真空环境中冷却到室温，即可得到碳量子点荧光材料。