[发明专利]一种碳量子点荧光材料的制备方法

权利要求书

1.一种碳量子点荧光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）清洗并干燥基板，先将玻璃片置于丙酮中超声清洗5～10分钟，之后利用去离子水对玻璃片超声冲洗4～6分钟，然后再置于无水乙醇中超声清洗5～10分钟，接着利用去离子水对玻璃片再次超声冲洗4～6分钟后用氮气吹干；

（2）反应室预抽真空，利用机械泵、罗茨泵或分子泵真空设备在100-300℃条件下对反应室预抽真空，至压强低于10^-4 -10^-5 Pa；

（3）嵌有碳量子点荧光薄膜的制备，首先以硅烷和甲烷为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术交替在步骤（2）中的反应室内于玻璃基板上制备嵌有碳量子点的SiC_X:H和CNx:H多层膜；SiC_X:H薄膜具体制备工艺参数：射频功率：300～500 W，沉积温度：100～300℃，沉积压强：200～500 Pa，甲烷流量：40～70 sccm，硅烷流量：10～20sccm，SiC_X:H薄膜沉积厚度：3～6 nm；CNx:H薄膜具体制备工艺参数：射频功率：200～400 W，沉积温度：100～300℃，沉积压强：200～500 Pa，甲烷流量：40～70 sccm，氨气流量：10～20 sccm，CNx:H薄膜沉积厚度：3～6 nm，SiC_X:H薄膜和CNx:H薄膜相间交替排布，一层SiC_X:H薄膜和一层CNx:H薄膜为一个周期，循环2个周期以上，所述的SiC_X:H中，0.5﹤X﹤1；CNx:H中，0.7﹤X﹤1.3；

（4）退火过程，把经过以上步骤沉积的多层膜放置于真空炉中加热到250-350℃，保持10-30 min，并在真空环境中冷却到室温，即可得到碳量子点荧光材料。

2.根据权利要求1所述的碳量子点荧光材料的制备方法，其特征在于，所述的步骤（3）中，SiC_X:H薄膜具体制备工艺参数：射频功率：400 W，沉积温度：200 ℃，沉积压强：350 Pa，甲烷流量：70 sccm，硅烷流量：20 sccm，SiC_X:H薄膜沉积厚度：4 nm；CNx:H薄膜具体制备工艺参数：射频功率：400 W，沉积温度：100 ℃，沉积压强：350 Pa，甲烷流量：70 sccm，氨气流量：20 sccm；CNx:H薄膜沉积厚度：4 nm，按照此制备参数交替沉积嵌有碳量子点的SiC_X:H和CNx:H多层膜，沉积3个周期。