[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710975386.1 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109671774B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 潘盼;张乃千;宋晰;许建华 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王术兰 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域。该半导体器件包括半导体基底、源极、栅极和漏极。源极、栅极和漏极制作于所述半导体基底一侧，在源极所在区域预留有通孔区域并在该通孔区域制作有刻蚀阻挡层；位于所述刻蚀阻挡层下方设置有贯穿所述半导体基底的通孔。通过在源极中设置通孔区域，并在通孔区域内设置刻蚀阻挡层，使得在进行与源极对应的通孔刻蚀时，能减少对通孔区域源极金属的刻蚀损伤。在刻蚀过程中，可以更容易的判断刻蚀进度，降低通孔刻蚀的工艺难度。同时可以提高通孔刻蚀时的刻蚀选择比，减少刻蚀过程中刻蚀产物的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体基底；制作于所述半导体基底一侧的源极、栅极和漏极；在形成欧姆接触的源极所在区域预留的通孔区域以及在该区域制作的刻蚀阻挡层；以及位于所述刻蚀阻挡层下方贯穿所述半导体基底的通孔。
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