[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体基底；

制作于所述半导体基底一侧的源极、栅极和漏极；

在形成欧姆接触的源极所在区域预留的通孔区域以及在该区域制作的刻蚀阻挡层；以及

位于所述刻蚀阻挡层下方贯穿所述半导体基底的通孔；

其中，所述预留的通孔区域在平行于所述栅极的方向上贯穿所述源极的至少一端，使该源极的至少一端呈开口状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的面积小于所述预留的通孔区域的面积，所述刻蚀阻挡层与所述源极之间具有空隙，使所述源极与所述刻蚀阻挡层不直接接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极以及所述刻蚀阻挡层上方覆盖有连通金属，使所述源极和所述刻蚀阻挡层通过该连通金属连接。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层覆盖所述预留的通孔区域和源极，使所述刻蚀阻挡层与所述源极直接接触连通。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述预留的通孔区域在平行于所述栅极的方向贯穿所述源极，使该源极两端呈开口状。

6.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，该半导体器件在每个源极对应的区域开设多个预留的通孔区域，该多个通孔区域相互连通并在平行于栅极的方向贯穿该源极，使该源极两端呈开口状。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的面积大于所述通孔靠近所述半导体基底设置所述源极一侧的横截面的面积。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

提供一半导体基底；

在所述半导体基底一侧制作源极、栅极和漏极，其中，在制作所述源极时，在所述源极所在区域形成预留的通孔区域，该预留的通孔区域内没有源极欧姆金属；其中，所述预留的通孔区域在平行于所述栅极的方向上贯穿所述源极的至少一端，使该源极的至少一端呈开口状；

在所述预留的通孔区域制作刻蚀阻挡层；

在所述源极和刻蚀阻挡层位于所述半导体基底的同一侧制作连通金属，使所述源极和刻蚀阻挡层通过所述连通金属连接；

从所述半导体基底远离所述源极的一侧，所述刻蚀阻挡层的下方刻蚀形成贯穿所述半导体基底的通孔。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述源极所在区域形成预留的通孔区域的步骤包括：

在所述半导体基底一侧预先确定的预留的通孔区域的部分使用遮挡材料覆盖，然后在该侧沉积材料形成源极欧姆金属；

将所述遮挡材料去除，形成所述预留的通孔区域。