[发明专利]一种稀土掺杂SiAlON发光薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710961812.6 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109666480B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘茜;侯韶克;刘光辉;倪佳;周真真 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C09K11/64 | 分类号： | C09K11/64;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种稀土掺杂SiAlON发光薄膜及其制备方法，所述薄膜以SiAlON半透明陶瓷靶材为基质、稀土氧化物靶材为发光离子源，通过磁控溅射在基片上共沉积制备，所述薄膜在紫外光激发下发射蓝光。本发明的稀土掺杂SiAlON发光薄膜还具有优良的力学性能，在发光和显示器件方面有潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 掺杂 sialon 发光 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种稀土掺杂SiAlON荧光薄膜，其特征在于，所述薄膜以SiAlON半透明陶瓷靶材为基质、稀土氧化物靶材为发光离子源，通过磁控溅射在基片上共沉积制备，所述薄膜在紫外光激发下发射蓝光。
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