[发明专利]一种压力控制的自旋交叉分子磁性材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710958153.0 申请日: 2017-10-16
公开(公告)号: CN107556489B 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 张羽嘉;陈霞 申请(专利权)人: 山东理工大学
主分类号: C08G83/00 分类号: C08G83/00;H01F1/42;H01F41/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 255086 山东省淄*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种基于吡啶硫醚配体和硒氰酸根离子的二价铁压力控制的自旋交叉配位聚合物磁性材料,由[FeL2(SeCN)2]n(L代表间苯二甲(双‑4‑吡啶基)硫醚)中性一维链构成。本发明的优点是:该配位聚合物随温度的变化呈现不完全高低自旋交叉现象和压力控制的完全高低自旋交叉现象,在分子热磁开关材料和压力控制磁性开关材料方面具有潜在的应用价值。该一维自旋交叉分子磁性材料的中性一维链分子结构见说明书附图图1。
搜索关键词: 一种 压力 控制 自旋 交叉 分子 磁性材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于吡啶硫醚配体的二价铁一维自旋交叉配位聚合物磁性材料,其特征在于,所述材料的分子式为C38H32FeN6S4Se2; 化学式为:[FeL2(SeCN)2]n (L 代表间苯二甲(双‑4‑吡啶基)硫醚)所述磁性材料的晶体结构为:晶体属于单斜晶系,空间群为P2(1),晶胞参数为a = 10.4448(11) Å,b = 13.704(2) Å, c = 14.999(2) Å, α = 90°,β =99.568(10)°,γ= 90°; 所述磁性材料的结构为:。
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