[发明专利]一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块化封装方法在审
| 申请号： | 201710954332.7 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107910324A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 梅云辉;谢宜静;付善灿;陆国权;李欣 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L29/16;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块及封装方法；由功率端子、上DBC基板、下DBC基板、纳米银焊膏、缓冲层、n对碳化硅FRED芯片和碳化硅MOS芯片、栅极电阻、粗铝丝、硅凝胶和模制树脂组成；分别将碳化硅MOS芯片下表面、碳化硅FRED芯片下表面以及缓冲层的下表面平行并联在下DBC基板；同样上DBC基板进行同样的连接；将碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片的上表面与上DBC基板的缓冲层上表面相连，同样的，下DBC基板的缓冲层与上DBC基板的碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片相互连接。功率芯片和缓冲层与DBC基板的连接均采用纳米银焊膏，具有烧结温度低、熔点高和热导率高优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 银焊膏 双面 互连 碳化硅 mos 器件 模块化 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块；由功率端子1、上DBC基板2、下DBC基板3、纳米银焊膏4、缓冲层5、n对碳化硅FRED芯片6和碳化硅MOS芯片7、栅极电阻8、粗铝丝9、硅凝胶和模制树脂组成；其特征是分别将所述碳化硅MOS芯片的下表面、碳化硅FRED芯片的下表面以及缓冲层的下表面平行并联在下DBC基板；同样上DBC基板进行同样的连接；然后将碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片的上表面与上DBC基板的缓冲层上表面相连，同样的，下DBC基板的缓冲层与上DBC基板的碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片相互连接。
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