[发明专利]一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块化封装方法

权利要求书

1.一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块；由功率端子1、上DBC基板2、下DBC基板3、纳米银焊膏4、缓冲层5、n对碳化硅FRED芯片6和碳化硅MOS芯片7、栅极电阻8、粗铝丝9、硅凝胶和模制树脂组成；其特征是分别将所述碳化硅MOS芯片的下表面、碳化硅FRED芯片的下表面以及缓冲层的下表面平行并联在下DBC基板；同样上DBC基板进行同样的连接；然后将碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片的上表面与上DBC基板的缓冲层上表面相连，同样的，下DBC基板的缓冲层与上DBC基板的碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片相互连接。

2.权利要求1的一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块封装方法，其特征是包括步骤如下：

(1)碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片的上表面采用磁控溅射的方法镀一层膜；

(2)采用钢网印刷的方式在下DBC基板均匀涂覆纳米银焊膏，然后将所述的碳化硅MOS芯片、碳化硅FRED芯片和缓冲层的下表面贴装在焊膏表面；

(3)在上DBC基板重复步骤(2)；

(4)将贴装完成的上DBC基板和下DBC基板在甲酸环境中进行低温无压烧结，烧结温度为250℃-300℃，保温时间15-45min；

(5)在下DBC基板的碳化硅MOS芯片、碳化硅FRED芯片和缓冲层上表面放置SnAgCu焊片或SnAg焊片，然后将上DBC基板倒置于下DBC基板上，最后将组装完成的双面模块放在真空回流炉中进行焊接；

(6)灌冲硅凝胶对双面模块进行密闭保护，保温温度130℃-200℃，保温时间40-90min，最后将灌胶完成的双面模块进行塑封。

3.如权利要求2所述的方法，其特征是缓冲层为鉬或鉬铜合金。

4.如权利要求2所述的方法，其特征是芯片材料采用碳化硅。

5.如权利要求2所述的方法，其特征是双面互连碳化硅MOS器件中碳化硅MOS芯片、碳化硅FRED芯片和缓冲层与DBC基板连接采用纳米银低温无压烧结连接。

6.如权利要求2所述的方法，其特征是纳米银焊膏的烧结连接在甲酸环境中进行。

7.如权利要求2所述的方法，其特征是DBC基板包括氧化铝陶瓷DBC基板、氧化铝陶瓷DBA基板、氮化硅AMB或氮化铝DBC。