[发明专利]具有收集器装置的热处理系统有效
| 申请号： | 201710939859.2 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107919302B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 迪迪埃·朗德吕;奥列格·科农丘克;S·西蒙 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有收集器装置的热处理系统(100)，所述热处理系统(100)包括能够接收多个基板(10)的腔室(2)、位于所述腔室(2)的远侧部分中的进气路径(5)以及位于所述腔室(2)的近侧部分中的用于气体和/或在热处理期间产生的挥发性物质的出口路径(6)。所述热处理系统(100)在所述腔室(2)的所述近侧部分中包括收集器装置(200)，所述收集器装置限定与所述出口路径(6)连通的隔室，并且其中所述气体和所述挥发性物质旨在循环，以便促进所述挥发性物质在所述收集器装置(200)的内表面上沉积(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 收集 装置 热处理 系统 | ||
【主权项】：
一种热处理系统(100)，所述热处理系统(100)包括：能够接收多个基板(10)的腔室(2)；进气路径(5)，该进气路径在所述腔室(2)的与基板(10)进入所述腔室的区域对置的远侧部分中；以及用于气体和/或在热处理期间产生的挥发性物质的出口路径(6)，所述出口路径在所述腔室(2)的位于所述基板(10)进入所述腔室的所述区域附近的近侧部分中；所述热处理系统(100)的特征在于，所述热处理系统在所述腔室(2)的所述近侧部分中包括收集器装置(200)，所述收集器装置(200)：·具有朝向所述腔室(2)的所述远侧部分取向的限制开口(202)；·限定与所述出口路径(6)连通的隔室(201)，所述隔室被构造成使得所述气体和所述挥发性物质经由所述限制开口(202)进入所述隔室(201)并且穿过所述隔室而到达所述出口路径(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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