[发明专利]一种IGBT的H桥整流水冷功率模块

摘要

本发明公开了一种IGBT的H桥整流水冷功率模块，属于半导体开关技术领域。所述的H桥整流水冷功率模块包括框架、第一个H桥桥臂模块、第二个H桥桥臂模块和直流支撑电容，所述的第一个H桥桥臂模块和第二个H桥桥臂模块结构相同，均包括板式水冷散热器和4个IGBT元件；4只IGBT元件在水冷散热器上阵列安装，4只IGBT元件每中2个为并联关系，2组并联的IGBT组成H桥单桥臂；2个桥臂上的电路连接通过层叠母排E1与E2连接；直流支撑电容的后侧面上安装电容层叠母排F，与所述的层叠母排E1与E2的直流出端相连。本发明电路布置紧凑，从而减小相互的杂散电感，将水路接口布置于整体模块前端方便拆装。整个系统的直流母线后置，方便多级的级联。

主权项

一种IGBT的H桥整流水冷功率模块，其特征在于：包括框架、第一个H桥桥臂模块、第二个H桥桥臂模块与直流支撑电容，第一个H桥桥臂模块、第二个H桥桥臂模块与直流支撑电容分别安装在框架左面外立面，框架右面外立面及框架中间；且三者间采用背靠背式的电路结构，使得第一个H桥桥臂模块和第二个H桥桥臂模块在结构上完全相同，均包括板式水冷散热器和4个IGBT元件；4个IGBT元件在所述板式水冷散热器上阵列安装，型号及位置均可互换；4个IGBT元件中每2个为并联关系，2组并联的IGBT组成H桥单桥臂；第一个H桥桥臂模块安装层叠母排E1，第二个H桥桥臂模块安装层叠母排E2；直流支撑电容的后侧面上安装电容层叠母排F，与H桥左右两个桥臂的IGBT模块中层叠母排E1与E2的直流出端相连。