[发明专利]半导体微元件的转移方法及转移装置有效
| 申请号： | 201710918727.1 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107818931B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 吴政;丁绍滢;李佳恩;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体微元件的转移方法及转移装置，在基板上设置有键合层，键合层与半导体微元件相连接，连接的键合层部分具有柱状支撑结构，键合层柱状支撑结构的中间有用于吹气的通孔，通孔靠近半导体微元件的一端为电极或非电极区域，键合层材料为高聚物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 转移 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体微元件的转移方法，所述半导体微元件的转移方法包含步骤：（1）在基板上设置键合层，键合层具有支撑结构；（2）半导体微元件通过支撑结构与键合层相连接；其特征在于：键合层的支撑结构中具有通孔，在移除半导体微元件时，从通孔向半导体微元件施加推力，让半导体微元件与键合层分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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