[发明专利]半导体微元件的转移方法及转移装置

权利要求书

1.一种半导体微元件的转移方法，所述半导体微元件的转移方法包含步骤：

（1）提供转移基板，在转移基板上形成半导体微元件，半导体微元件具有电极，转移基板包括基板和键合层，键合层设置在基板上，键合层具有支撑结构；

（2）半导体微元件通过支撑结构与键合层键合连接；

其特征在于：电极位于半导体微元件靠近支撑结构的一侧，键合层的支撑结构中具有通孔，在移除半导体微元件时，从通孔向半导体微元件施加推力，让半导体微元件与键合层分离。

2.根据权利要求1所述的一种半导体微元件的转移方法，其特征在于：所述半导体微元件的数量为多个，其中步骤（2）仅向部分所述半导体微元件施加推力，以分离所需的半导体微元件。

3.根据权利要求1所述的一种半导体微元件的转移方法，其特征在于：所述通孔通过向半导体微元件注入流体，以产生所述推力。

4.一种半导体微元件的转移方法，所述半导体微元件的转移方法包含步骤：

（1）提供转移基板，在转移基板上形成半导体微元件，半导体微元件具有电极，转移基板包括基板和键合层，键合层设置在基板上，键合层具有支撑结构；

（2）键合层通过支撑结构与半导体微元件键合连接；

其特征在于：电极位于半导体微元件靠近支撑结构的一侧，键合层的支撑结构中具有通孔，在支撑结构连接半导体微元件时，从通孔向半导体微元件施加吸力，让半导体微元件吸附在键合层上。

5.根据权利要求4所述的一种半导体微元件的转移方法，其特征在于：所述半导体微元件的数量为多个，其中步骤（2）仅将部分所述半导体微元件吸附，释放指定的部分半导体微元件。

6.根据权利要求1或4所述的一种半导体微元件的转移方法，其特征在于：所述通孔的孔径为1μm ~10μm。

7.根据权利要求1或4所述的一种半导体微元件的转移方法，其特征在于：所述支撑结构靠近半导体微元件一端的通孔孔径小于远离半导体微元件一端的通孔孔径。

8.根据权利要求1或4所述的一种半导体微元件的转移方法，其特征在于：所述支撑结构靠近半导体微元件一端的通孔孔径为1μm ~6μm。

9.根据权利要求1或4所述的一种半导体微元件的转移方法，其特征在于：所述键合层的材料为高分子材料。

10.根据权利要求1或4所述的一种半导体微元件的转移方法，其特征在于：所述键合层的材料包括BCB胶（Benzo Cyclo Butene,苯并环丁烯）、硅胶、聚酯树脂、聚亚胺酯或聚酰亚胺或人造橡胶或环氧树脂或聚二甲基硅氧烷或聚氨酯与对苯二甲酸乙二酯或聚甲基丙烯酸甲酯或多壁碳纳米管或前述任意组合。

11.根据权利要求1或4所述的一种半导体微元件的转移方法，其特征在于：所述半导体微元件表面具有绝缘层，所述半导体微元件上的绝缘层与支撑结构键合。

12.根据权利要求11所述的一种半导体微元件的转移方法，其特征在于：所述半导体微元件上的绝缘层与支撑结构键合的位置上设置有凹坑。

13.一种半导体微元件的转移装置，具有转移基板，在转移基板上形成半导体微元件，半导体微元件具有电极，转移基板包括基板和键合层，键合层设置在基板上，键合层设置有支撑结构，键合层通过支撑结构与半导体微元件键合连接，其特征在于：电极位于半导体微元件靠近支撑结构的一侧，所述支撑结构具有通孔。

14.根据权利要求13所述的一种半导体微元件的转移装置，其特征在于：所述键合层采用高分子材料。