[发明专利]仪表级铝基碳化硅结构件的加工方法

摘要

本发明公开了一种仪表级铝基碳化硅结构件的加工方法，包括热处理工序一、下料与粗车工序一、热处理工序二、粗车工序二、粗铣工序一、热处理工序三、半精车工序一、热处理工序四、精车工序一、精铣工序一、热处理工序五、精车工序二。本发明首先对坯料进行消除应力处理，然后下料粗车，粗车成对称圆筒状，进行T6（人工时效）处理，高低温尺寸稳定性处理：分三个阶段分别在粗加工，半精车加工，精加工后进行，本发明适合仪表级铝基碳化硅材质加工的加工参数与热处理方法，保证加工质量且提高加工效率。

主权项

1.一种仪表级铝基碳化硅结构件的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤a、热处理工序一：坯料消除应力处理，温度设定为400℃，保温时间为3小时，随炉冷却；步骤b、下料与粗车工序一：使用线切割下料成圆筒状，避免尖锐与非对称结构，用经过渗氮处理的硬质合金刀粗车成管料，避免尖锐与非对称结构；步骤c、热处理工序二：人工时效处理，温度设定为495℃，保温时间2小时，进行水冷，时间控制在12秒内，水冷后到190℃时效开始间隔不超过30分钟，温度设定为190℃，保温时间为8小时；步骤d、粗车工序二：粗车零件主体留单边余量1.0mm，有孔的端面与圆柱面必须保证后续孔加工后，孔边缘距零件回转面边缘为3.0mm，且光孔加工端面厚度加厚，保证有孔的端面与圆柱面可多留余量；步骤e、粗铣工序一：粗铣零件加工光孔直径、螺纹通孔直径，孔深加工为盲孔深度，大于通孔深度，然后攻丝，粗铣孔所在凸台留单边余量0.5mm；步骤f、热处理工序三：第一次高低温处理，室温‑高温‑低温‑高温‑低温‑高温‑低温‑高温，随炉冷却，温度与时间控制为：（160℃x2h～‑70℃x20min）x3次；步骤g、半精车工序一：半精车零件留单边0.5mm，粗铣工序中留量的盲孔加工成通孔；步骤h、热处理工序四：第二次高低温处理，室温‑高温‑低温‑高温‑低温‑高温‑低温‑高温，随炉冷却，温度与时间控制为：（150℃x1h～‑４0℃x20min）x3次；步骤i、精车工序一：车零件非关键尺寸，关键尺寸留单边余量0.1mm，在加工过程中避免直接接触零件，防止油脂渗入零件；步骤j、精铣工序一：精铣零件凸台，在加工过程中避免直接接触零件，防止油脂渗入零件；步骤k、热处理工序五：第三次高低温处理，室温‑高温‑低温‑高温‑低温‑高温‑低温‑高温，随炉冷却，温度与时间控制为：（130℃x1h～‑20℃x20min）x3次；步骤l、精车工序二：精车零件，在加工过程中避免直接接触零件，防止油脂渗入零件。