[发明专利]功率MOSFET

摘要

本发明公开了一种功率MOSFET，功率MOSFET的有源区包括多个并联的原胞，各原胞包括栅极结构、沟道区、源区、漂移区和漏区；栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被多晶硅栅覆盖的沟道区的表面用于形成沟道；原胞按照阈值电压的不同分为2种以上，用以降低功率MOSFET在开关过程中的电流变化和电压变化；在开启过程中，按照阈值电压从小到大的顺序依次开启和阈值电压对应的原胞；在关断过程中，按照阈值电压从大到小的顺序依次关断和阈值电压对应的原胞。本发明能降低开关速度，从而降低开关过程中电流和电压的变化。

主权项

1.一种功率MOSFET，其特征在于：功率MOSFET的有源区包括多个并联的原胞，各所述原胞包括栅极结构、沟道区、源区、漂移区和漏区；所述栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；所述原胞按照阈值电压的不同分为2种以上，用以降低所述功率MOSFET在开关过程中的电流变化和电压变化；在开启过程中，按照所述阈值电压从小到大的顺序依次开启和所述阈值电压对应的所述原胞；在关断过程中，按照所述阈值电压从大到小的顺序依次关断和所述阈值电压对应的所述原胞。