[发明专利]高可靠性RDL堆叠开孔结构在审
| 申请号： | 201710907481.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107768343A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/488 |
| 代理公司： | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙)32309 | 代理人： | 周彩钧 |
| 地址： | 214434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，它包括硅衬底（1）、芯片焊垫（2）和钝化层（3），所述钝化层（3）和芯片焊垫（2）外包覆有第一高分子介电层（4），所述第一高分子介电层（4）上设置有第一金属布线层（6），所述第一金属布线层（6）外包覆有第二高分子介电层（7），所述第二高分子介电层（7）上设置有第二金属布线层（9），所述第二金属布线层（9）外包覆有第三高分子介电层（10），所述第三高分子介电层（10）上设置有锡球（11）。本发明一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，它在第二金属布线层下的第二高分子介电层开应力缓冲槽，分散应力集中，以减小在芯片焊垫与第一金属布线层的界面应力，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 rdl 堆叠 结构 | ||
【主权项】：
一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：它包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）上设置有芯片焊垫（2）和钝化层（3），所述钝化层（3）设置于芯片焊垫（2）周围，所述钝化层（3）和芯片焊垫（2）外包覆有第一高分子介电层（4），所述第一高分子介电层（4）在芯片焊垫（2）位置设置有第一开孔（5），所述第一高分子介电层（4）上和第一开孔（5）内设置有第一金属布线层（6），所述第一金属布线层（6）与芯片焊垫（2）电性连接，所述第一金属布线层（6）外包覆有第二高分子介电层（7），所述第二高分子介电层（7）在第一金属布线层（6）位置设置有第二开孔（8），所述第二高分子介电层（7）在第一金属布线层（6）外围位置设置有第一缓冲槽（12），所述第二高分子介电层（7）上、第二开孔（8）内和第一缓冲槽（12）内设置有第二金属布线层（9），所述第二金属布线层（9）与第一金属布线层（6）电性连接，所述第二金属布线层（9）外包覆有第三高分子介电层（10），所述第三高分子介电层（10）在第二金属布线层（9）位置开设有第三开孔（13），所述第三开孔（13）处设置有锡球（11）。
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