[发明专利]高可靠性RDL堆叠开孔结构

权利要求书

1.一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：它包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）上设置有芯片焊垫（2）和钝化层（3），所述钝化层（3）设置于芯片焊垫（2）周围，所述钝化层（3）和芯片焊垫（2）外包覆有第一高分子介电层（4），所述第一高分子介电层（4）在芯片焊垫（2）位置设置有第一开孔（5），所述第一高分子介电层（4）上和第一开孔（5）内设置有第一金属布线层（6），所述第一金属布线层（6）与芯片焊垫（2）电性连接，所述第一金属布线层（6）外包覆有第二高分子介电层（7），所述第二高分子介电层（7）在第一金属布线层（6）位置设置有第二开孔（8），所述第二高分子介电层（7）在第一金属布线层（6）外围位置设置有第一缓冲槽（12），所述第二高分子介电层（7）上、第二开孔（8）内和第一缓冲槽（12）内设置有第二金属布线层（9），所述第二金属布线层（9）与第一金属布线层（6）电性连接，所述第二金属布线层（9）外包覆有第三高分子介电层（10），所述第三高分子介电层（10）在第二金属布线层（9）位置开设有第三开孔（13），所述第三开孔（13）处设置有锡球（11）。

2.根据权利要求1所述的一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：所述第一缓冲槽（12）是一个完整的环形槽或是不完整的环形槽。

3.根据权利要求1所述的一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：所述第一缓冲槽（12）采用呈环形布置的多个缓冲孔替代。

4.根据权利要求1所述的一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：所述第一高分子介电层（4）在第一金属布线层（6）下方设置有第三缓冲槽（16）。

5.根据权利要求1所述的一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：所述第一金属布线层（6）上方设置有第一缓冲槽（12），下方设置有第三缓冲槽（16）。

6.根据权利要求4所述的一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：所述第一开孔（5）和第三缓冲槽（16）在第一金属布线层（6）下方对称排布。

7.一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：它包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）上设置有芯片焊垫（2）和钝化层（3），所述钝化层（3）设置于芯片焊垫（2）周围，所述钝化层（3）和芯片焊垫（2）外包覆有第一高分子介电层（4），所述第一高分子介电层（4）在芯片焊垫（2）位置设置有第一开孔（5），所述第一高分子介电层（4）上和第一开孔（5）内设置有第一金属布线层（6），所述第一金属布线层（6）与芯片焊垫（2）电性连接，所述第一金属布线层（6）外包覆有第二高分子介电层（7），所述第二高分子介电层（7）在第一金属布线层（6）位置设置有第二开孔（8），所述第二高分子介电层（7）在第一金属布线层（6）外围位置设置有第一缓冲槽（12），所述第二高分子介电层（7）上、第二开孔（8）内和第一缓冲槽（12）内设置有第二金属布线层（9），所述第二金属布线层（9）与第一金属布线层（6）电性连接，所述第二金属布线层（9）外包覆有第三高分子介电层（10），所述第一开孔（5）上方的第三高分子介电层（10）外侧设置有第二缓冲槽（15），所述第三高分子介电层（10）上和第二缓冲槽（15）内设置有球下金属层（14），所述球下金属层（14）上设置有锡球（11）。

8.根据权利要求1或7所述的一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：所述钝化层（3）采用SiN、SiO、SiON、SOG 或高分子绝缘材料。

9.根据权利要求1或7所述的一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：所述第一高分子介电层（4）、第二高分子介电层（7）和第三高分子介电层（10）的材质采用BCB、polyimide、PBO、高分子绝缘薄膜或高分子复合材料薄膜。

10.根据权利要求1或7所述的一种高可靠性RDL堆叠开孔结构，其特征在于：第一金属布线层（6）和第二金属布线层（9）的材质采用Cu、Al、Cr、NiV、Ti 或 TiW。