[发明专利]一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201710904327.5 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107507893A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 朱金平 | 申请（专利权）人： | 江苏微全芯生物科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213000 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了制作一种小体积高亮度，具有特殊表面几何图形的氮化镓发光二极管芯片的制造方法，这种小芯片面积为0.15×0.15mm2~0.3×0.3mm2；厚度50±10μm~80±10μm；P电极为圆形，直径φ为60mm~110mm；N电极为水滴状几何图形，直径φ为60mm~110mm。通过(一)外延生长、(二)蒸发透明电极、(三)刻蚀台阶、(四)钝化、(五)P、N电极制作、(六)退火、(七)参数测试、(八)研磨、切割、(九)测试分类九大工艺步骤制作一种的小芯片。本发明制作的芯片具有体积小，亮度高，生产效率高，低成本，应用范围宽等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 体积 亮度 氮化 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法，包括以下步骤：(1)由蓝宝石做衬底，经MOCVD方法生长N型AlGaN缓冲层，N型GaN层， P型GaN外延层，在P型外延层上生长掺杂锰(Mg)的P+层；(2)将透明电极材料蒸镀在外延层上，再刻蚀P、N电极平台阶，生长钝化层；(3)依次进行光刻、蒸镀、剥离、制作P，N电极；(4)进行退火处理，形成欧姆接触后，做光电参数中间测试；(5)通过研磨控制芯片厚度，再进行切割分开后，测试分类；其特征在于：芯片面积为0.15×0.15mm2～0.3×0.3mm2；厚度(50～80)±10 μm；P电极为圆形，直径φ＝60mm～110mm；N电极为水滴状几何图形，直径φ＝60mm～110mm。
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