[发明专利]SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201710902100.7 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107916449B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 旦野克典 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶的制造方法。目的在于提供位错和缺陷少并且口径扩大率大的SiC单晶制造方法，其为使保持于晶种保持轴的SiC晶种与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触、采用溶液法的制造方法，其中，晶种具有与Si‑C溶液的表面平行配置的底面、保持于晶种保持轴的顶面、顶面与底面之间的侧面，底面为(0001)面或(000‑1)面，底面为在圆形的至少一部分具有除去部、且在外周具有圆弧的形状，除去部为1个或多个，为沿着连结圆形的圆弧上的2点的弦而除去的、具有劣弧或半圆周的弓形，圆形中心与1个除去部的圆弧上的2点所成的圆心角为40°以上，圆心角的合计为180°以下，该方法包括在晶种与Si‑C溶液之间形成弯液面而使SiC单晶从晶种的底面生长。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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