[发明专利]SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201710902100.7 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107916449B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 旦野克典 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.SiC单晶的制造方法，是使保持于晶种保持轴的SiC晶种与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触、采用溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，
所述晶种具有与所述Si-C溶液的表面平行地配置的底面、保持于所述晶种保持轴的顶面、和所述顶面与所述底面之间的侧面，
所述晶种的底面为(0001)面或(000-1)面，
所述晶种的底面的形状为在圆形状的至少一部分具有除去部的形状并且为在外周具有圆弧形状部的形状，
所述除去部的个数为1个或多个，所述除去部的形状为沿着连结所述圆形状的圆弧上的2点的弦而除去的、具有劣弧或半圆周的弓形，
所述圆形状的中心与1个所述除去部的所述圆弧上的2点所成的圆心角为40°以上，
所述除去部的所述圆心角的合计为180°以下，
该方法包括：在所述晶种与所述Si-C溶液之间形成弯液面而使所述SiC单晶从所述晶种的所述底面生长。
2.权利要求1所述的制造方法，其中，所述除去部的个数为1～4个。
3.权利要求1所述的制造方法，其中，所述除去部的个数为1个。
4.权利要求1～3的任一项所述的制造方法，其中，包括：在使所述晶种与所述Si-C溶液接触时，使所述晶种在与所述Si-C溶液的表面平行的方向上旋转。
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