[发明专利]MTJ器件、其制作方法与MRAM有效

专利信息
申请号: 201710900289.6 申请日: 2017-09-28
公开(公告)号: CN109585645B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 孟凡涛 申请(专利权)人: 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 韩建伟;谢湘宁
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请提供了一种MTJ器件、其制作方法与MRAM。该制作方法包括:步骤S1,在基底上设置预介电膜;步骤S2,在预介电膜中开设通孔,形成介电膜,通孔与基底连接,通孔的孔径沿着远离基底的方向先增大后减小,在介电膜的厚度方向上;步骤S3,在通孔中设置MTJ结构层,且结构层包括依次叠置的参考层、绝缘势垒层以及自由层,且绝缘势垒层位于通孔的孔径最大的位置处,且绝缘势垒层与通孔的侧壁间隔设置。该制作方法可以很大程度上避免在沉积自由层时,金属颗粒溅射到通孔的侧壁上与绝缘势垒层接触,进而使得自由层与参考层导通导致的短路问题,保证了MTJ器件具有良好的性能。
搜索关键词: mtj 器件 制作方法 mram
【主权项】:
1.一种MTJ器件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:步骤S1,在基底上设置预介电膜;步骤S2,在所述预介电膜中开设通孔,形成介电膜,所述通孔与所述基底连接,所述通孔的孔径沿着远离所述基底的方向先增大后减小;以及步骤S3,在所述通孔中设置MTJ结构层,且所述MTJ结构层包括依次叠置的参考层、绝缘势垒层以及自由层,且所述绝缘势垒层位于所述通孔的孔径最大的位置处,且所述绝缘势垒层与所述通孔的侧壁间隔设置。
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