[发明专利]基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质有效
申请号: | 201710899650.8 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107895702B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 佐藤秀明 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质,在同一基板的液处理中变更蚀刻选择比。该基板液处理装置在设置于液处理部(39)的处理槽(34)内贮存磷酸水溶液,将基板浸于处理槽所贮存的磷酸水溶液中,由此对该基板进行处理。在基板浸于处理槽内的磷酸水溶液中的第一期间,利用磷酸水溶液排出部(43)以第一排出流量从液处理部(39)排出磷酸水溶液,并且利用磷酸水溶液供给部(40)向液处理部供给磷酸水溶液。在另外的第二期间,利用磷酸水溶液排出部以与第一排出流量不同的第二排出流量从液处理部排出磷酸水溶液,并且利用磷酸水溶液供给部向液处理部供给磷酸水溶液。 | ||
搜索关键词: | 基板液 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种基板液处理装置,其特征在于,具备:液处理部,其包括处理槽,所述处理槽贮存磷酸水溶液,将基板浸于所述处理槽所贮存的磷酸水溶液中,由此对所述基板进行处理;磷酸水溶液供给部,其能够以控制后的流量向所述液处理部供给磷酸水溶液;磷酸水溶液排出部,其能够以控制后的流量排出存在于所述液处理部内的磷酸水溶液;以及控制部,其对所述磷酸水溶液供给部和所述磷酸水溶液排出部的动作进行控制,其中,在所述基板浸于所述处理槽内的磷酸水溶液中的第一期间,所述控制部使所述磷酸水溶液排出部以第一排出流量从所述液处理部排出磷酸水溶液,并且利用所述磷酸水溶液供给部向所述液处理部供给磷酸水溶液,在所述基板浸于所述处理槽内的磷酸水溶液中的第二期间,所述控制部使所述磷酸水溶液排出部以与所述第一排出流量不同的第二排出流量从所述液处理部排出磷酸水溶液,并且利用所述磷酸水溶液供给部向所述液处理部供给磷酸水溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造