[发明专利]基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质

说明书

本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质，在同一基板的液处理中变更蚀刻选择比。该基板液处理装置在设置于液处理部(39)的处理槽(34)内贮存磷酸水溶液，将基板浸于处理槽所贮存的磷酸水溶液中，由此对该基板进行处理。在基板浸于处理槽内的磷酸水溶液中的第一期间，利用磷酸水溶液排出部(43)以第一排出流量从液处理部(39)排出磷酸水溶液，并且利用磷酸水溶液供给部(40)向液处理部供给磷酸水溶液。在另外的第二期间，利用磷酸水溶液排出部以与第一排出流量不同的第二排出流量从液处理部排出磷酸水溶液，并且利用磷酸水溶液供给部向液处理部供给磷酸水溶液。

技术领域

本发明涉及一种使用处理液来对基板进行液处理的基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，包括将半导体晶圆等基板浸于处理槽中贮存的磷酸水溶液中来对形成于基板的表面的氮化硅膜进行湿蚀刻的氮化硅膜蚀刻工序。

在蚀刻中，来自氮化硅膜的硅溶出到磷酸水溶液中。由于为了提高氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻选择比(氮化硅物的蚀刻速率与氧化硅物的蚀刻速率的比)以及为了降低来自溶出硅的微粒等理由，需要将磷酸水溶液中的溶出硅浓度维持在规定的范围内。

在专利文献1中，在基板浸于处理槽内的磷酸水溶液中的期间，持续地以预先决定的固定的排出流量排出处于处理槽内的磷酸水溶液并且以与上述排出流量相同的固定的流量(排出流量)向处理槽供给不包括硅的磷酸水溶液(或硅浓度低的磷酸水溶液)，由此在基板浸于处理槽内的磷酸水溶液中的期间，处理槽内的磷酸水溶液中的硅浓度逐渐增加。

在专利文献2中记载了如下一种基板处理装置：在连接到处理槽的循环线中具备用于注入硅、例如胶体硅的硅注入装置，基于由硅浓度监视器检测出的磷酸水溶液中的硅浓度来利用硅注入装置注入硅，由此将磷酸水溶液中的硅浓度控制在期望范围内。并且，在专利文献2中记载了除了上述结构以外还设置用于从循环线排出使用中的磷酸水溶液的排出部以及向循环线添加新的磷酸水溶液的磷酸添加管。通过硅的注入、排出使用中的磷酸水溶液以及添加新的磷酸水溶液，磷酸水溶液中的硅浓度被维持在期望范围内。在专利文献2中没有记载在一个处理基板组的基板的处理中使磷酸水溶液中的硅量在不同的两个以上的目标值间变化。

在专利文献3中记载了如下内容：当由浓度检测传感器检测出的处理槽内的磷酸水溶液中的硅浓度达到预先决定的阈值时，在某一个处理基板组的基板的处理与下一处理基板组的基板的处理之间，将处理槽内的磷酸水溶液排出一部分并且向处理槽补充新的磷酸水溶液，由此将处理槽内的磷酸水溶液中的硅浓度维持在规定范围内。在专利文献3中没有记载在一个处理基板组的基板的处理中从处理槽排出使用中的磷酸水溶液并且补充新的磷酸水溶液。

在专利文献1～3的技术中，无法在一个处理基板组的基板的处理中进行在控制后的不同的蚀刻速率下的蚀刻。

专利文献1：日本特开2015-070080号公报

专利文献2：日本特开平9-275091号公报

专利文献3：日本特开2001-023952号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供一种能够在同一基板的液处理中变更蚀刻选择比的技术。

用于解决问题的方案