[发明专利]阵列基板及其制造方法

摘要

一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤。依序形成栅绝缘层、第一及第二栅极、第一层间绝缘层于第一及第二主动层上。利用掩膜进行一微影蚀刻工艺，以于栅绝缘层与第一层间绝缘层中形成第一～第四接触洞。形成分别通过第一～第四接触洞与第一及第二主动层连接的第一及第二源极、第一及第二漏极。形成第二层间绝缘层。利用前述掩膜进行另一微影蚀刻工艺，以于第二层间绝缘层中形成第一～第三开口及接触洞，其中于法线方向上，第三开口与第一接触洞重叠，接触洞与第二接触洞重叠，第一开口与第三接触洞重叠，第二开口与第四接触洞重叠。

主权项

一种阵列基板的制造方法，该阵列基板具有一显示区及一驱动电路区，其特征在于，该制造方法包括：形成一第一主动层于该显示区以及一第二主动层于该驱动电路区，其中该第一主动层具有一第一通道预定区、一第一源极掺杂预定区与一第一漏极掺杂预定区，且该第二主动层具有一第二通道预定区、一第二源极掺杂预定区与一第二漏极掺杂预定区；形成一栅绝缘层于该第一主动层及该第二主动层上；形成一第一栅极及一第二栅极于该栅绝缘层上，其中该第一栅极与该第一通道预定区于一法线方向上重叠，且该第二栅极与该第二通道预定区于该法线方向上重叠；形成一第一层间绝缘层于该第一栅极及该第二栅极上；利用一掩膜进行一微影蚀刻工艺，以于该栅绝缘层与该第一层间绝缘层中形成一第一接触洞、一第二接触洞、一第三接触洞、及一第四接触洞，其中该第一接触洞暴露出至少部分的该第一源极掺杂预定区、该第二接触洞暴露出至少部分的该第一漏极掺杂预定区、该第三接触洞暴露出至少部分的该第二源极掺杂预定区、该第四接触洞暴露出至少部分的该第二漏极掺杂预定区；形成一第一导体层包括一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极，其中该第一源极、该第一漏极、该第二源极及该第二漏极分别通过该第一接触洞、该第二接触洞、该第三接触洞及该第四接触洞与该第一源极掺杂预定区、该第一漏极掺杂预定区、该第二源极掺杂预定区及该第二漏极掺杂预定区接触；形成一第二导体层于该第一导体层上方；形成一第二层间绝缘层于该第二导体层上；利用该掩膜进行另一微影蚀刻工艺，以于该第二层间绝缘层中形成一第一开口、一第二开口、一第三开口及一接触洞，其中该第三开口与该第一接触洞于该法线方向上重叠，该接触洞与该第二接触洞于该法线方向上重叠，该第一开口与该第三接触洞于该法线方向上重叠，该第二开口与该第四接触洞于该法线方向上重叠；以及形成一第三导体层于该第二层间绝缘层上。