[发明专利]一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法，该方法是先将钼电极置于碱性溶液中配合脉冲电压对其表面进行可控的各向异性氧化，然后对钼电极表面的氧化层进行腐蚀，得到多孔钼基底表面，最终制备出漫反射增强背接触钼电极。该方法通过实验参数的调节，可以控制背接触钼电极表面腐蚀坑的深度，从而实现背接触钼电极漫反射系数的精确调控；该方法可以有效改善CZTS薄膜太阳电池对响应波段光吸收的量子效率；该方法的整个过程在液相非真空环境下制备，操作简单，成本极低，利于产业化应用。

主权项

1.一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将钼电极置于含有主溶质及缓冲剂的溶液I中，同时在钼电极表面加脉冲电压，进行表面氧化，得到样品A；(2)将样品A置于水中清洗；(3)将清洗完的样品A置于含有主溶质及缓冲剂的溶液II中清洗得到样品B；(4)使用水对样品B表面进行清洗。(5)重复步骤(1)～(4)，直至钼基底漫反射表面形成50～200nm的规则蚀刻痕，烘干即得。