[发明专利]一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法

权利要求书

1.一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将钼电极置于含有主溶质及缓冲剂的溶液I中，同时在钼电极表面加脉冲电压，进行表面氧化，得到样品A；

(2)将样品A置于水中清洗；

(3)将清洗完的样品A置于含有主溶质及缓冲剂的溶液II中清洗得到样品B；

(4)使用水对样品B表面进行清洗。

(5)重复步骤(1)～(4)，直至钼基底漫反射表面形成50～200nm的规则蚀刻痕，烘干即得。

2.根据权利要求1所述的一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法，其特征在于：所述溶液I中的主溶质选自NaOH、KOH、Ba(OH)₂中的一种，溶剂为水，浓度范围为10mmol/L～10mol/L。

3.根据权利要求1所述的一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法，其特征在于：所述溶液I中的缓冲剂选自柠檬酸-柠檬酸钠/钾、乙酸-乙酸钠/钾和磷酸二氢钠/钾-磷酸氢二钠/钾中的一种，每组缓冲剂中各组分的浓度范围1mmol/L～1mol/L，缓冲剂中前后两种组分的比例范围为1:1～20:1。

4.根据权利要求1所述的一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法，其特征在于：所述溶液II中的主溶质选自盐酸、硫酸、硝酸中的一种，溶剂为水，浓度范围为1mmol/L～10mol/L。

5.根据权利要求1所述的一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法，其特征在于：所述溶液II中的缓冲剂选自硼酸-硼酸钠/钾、碳酸钠/钾-碳酸氢钠/钾、磷酸二氢钠/钾-磷酸氢二钠/钾中的一种，每组缓冲剂中各组分的浓度范围1mmol/L～1mol/L，缓冲剂中前后组分的比例范围为1:1～20:1。

6.根据权利要求1所述的漫反射增强背接触钼电极的制备方法，其特征在于：所述脉冲电压波形为矩形、正弦形、锯齿形、尖形或梯形中的一种，脉冲电压范围-10～10V，脉冲频率为1～1000Hz。

7.根据权利要求1所述的一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)～(3)的反应温度20～70℃，反应时间5s～10min，步骤(1)～(4)的重复次数为1～20次。