[发明专利]MoS2/SiO2/Si异质结光电储存器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710895219.6 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107731256A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 施维林;马锡英 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/42 | 分类号： | G11C11/42 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MoS2/SiO2/Si异质结光电储存器及其制备方法，利用超薄MoS2作为光敏单元，吸收光信号并将其转变为电信号；利用SiO2/Si界面势阱为电荷存储器，存储光敏单元转变的信号电荷。在读出电压作用下，再将信号读出。该结构的最大特点是将光敏单元和存储单元集中在一个存储单元上，克服了传统光电存储器中光敏单元和存储单元为两个不同的单元。该器件在150mw/cm2光功率密度照射下，读出峰值电流与所加电压呈良好的线性关系，当所加栅压为60V时峰值电流为160PA；读出电流随照射时间增加，读出电流线性增加，当大于200ms时，读出电流趋于饱和，其最佳读出时间200ms；光照与无光照的电流比为Ion/Ioff超过103。 | ||
| 搜索关键词： | mos2 sio2 si 异质结 光电 储存器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MoS2/SiO2/Si异质结光电储存器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）于700～900℃下，在清洁的Si片表面通入氧气，制备得到表面带有SiO2膜层的Si片；（2）在带有SiO2膜层的Si片的SiO2膜表面制备MoS2薄膜，得到MoS2/SiO2/Si异质结；（3）在MoS2/SiO2/Si异质结上制备电极，得到MoS2/SiO2/Si异质结光电储存器。
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