[发明专利]MoS2/SiO2/Si异质结光电储存器及其制备方法

权利要求书

1.一种MoS₂/SiO₂/Si异质结光电储存器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）于700～900℃下，在清洁的Si片表面通入氧气，制备得到表面带有SiO₂膜层的Si片；

（2）在带有SiO₂膜层的Si片的SiO₂膜表面制备MoS₂薄膜，得到MoS₂/SiO₂/Si异质结；

（3）在MoS₂/SiO₂/Si异质结上制备电极，得到MoS₂/SiO₂/Si异质结光电储存器。

2.根据权利要求1所述MoS₂/SiO₂/Si异质结光电储存器的制备方法，其特征在于，所述清洁的Si片由以下方式制备，依次用有机溶剂、去离子水超声波清洗Si片，然后用吹干，放入真空反应室、于200～300℃加热，得到清洁的Si片。

3.根据权利要求1所述MoS₂/SiO₂/Si异质结光电储存器的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述氧气的纯度大于99.999%；所述氧气的流量为20～80cm³/s；制备的温度为700～950℃，制备的时间为20～40分钟，所述SiO₂膜层的厚度为200～500 nm。

4.根据权利要求1所述MoS₂/SiO₂/Si异质结光电储存器的制备方法，其特征在于，在带有SiO₂膜层的Si片的SiO₂膜表面制备MoS₂薄膜具体为，于500～600℃下，将MoS₂溶液通过携载气体吸附在带有SiO₂膜层的Si片表面；生长5～10分钟后，在带有SiO₂膜层的Si片的SiO₂膜表面制备得到MoS₂薄膜。

5.根据权利要求4所述MoS₂/SiO₂/Si异质结光电储存器的制备方法，其特征在于，所述携载气体为氩气；所述MoS₂溶液的溶剂为稀硫酸。

6.根据权利要求1所述MoS₂/SiO₂/Si异质结光电储存器的制备方法，其特征在于，所述电极的制备为磁控溅射法和/或蒸镀法。

7.根据权利要求1所述MoS₂/SiO₂/Si异质结光电储存器的制备方法制备的MoS₂/SiO₂/Si异质结光电储存器。

8.一种光电储存器用MoS₂/SiO₂/Si异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）于700～900℃下，在清洁的Si片表面通入氧气，制备得到表面带有SiO₂膜层的Si片；

（2）在带有SiO₂膜层的Si片的SiO₂膜表面制备MoS₂薄膜，得到MoS₂/SiO₂/Si异质结。

9.根据权利要求8所述光电储存器用MoS₂/SiO₂/Si异质结的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述氧气的纯度大于99.999%；所述氧气的流量为20～80cm³/s；制备的温度为700～950℃，制备的时间为20～40分钟，所述SiO₂膜层的厚度为200～500 nm。

10.根据权利要求8所述光电储存器用MoS₂/SiO₂/Si异质结的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，于500～600℃下，将MoS₂溶液通过携载气体吸附在带有SiO₂膜层的Si片的SiO₂膜表面；生长5～10分钟后，在带有SiO₂膜层的Si片的SiO₂膜表面制备得到MoS₂薄膜。