[发明专利]碳化硅衬底回收方法、碳化硅衬底及回收系统在审
| 申请号： | 201710889680.0 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109559972A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 孔苏苏 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L29/16;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅衬底回收方法、碳化硅衬底及回收系统。其中，所述回收方法通过采用化学腐蚀及物理研磨相结合的方式对外延片进行处理，可以快速有效的去除外延片上的外延层，获得表面平整光滑的碳化硅衬底。再通过退火处理，能够修复研磨造成的表面缺陷(比如，划痕)，获得可直接使用的碳化硅衬底。该方法具有原理简单、回收过程可控的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 回收 回收系统 半导体制造技术 表面平整 表面缺陷 化学腐蚀 退火处理 物理研磨 研磨 可控的 外延层 外延片 划痕 延片 光滑 去除 半导体 修复 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅衬底回收方法，其特征在于，所述方法包括：将外延片放入腐蚀性溶液中进行腐蚀处理，其中，所述外延片包括碳化硅衬底及由氮化物半导体材料组成的外延层；将腐蚀处理后的外延片放入研磨设备进行研磨处理，去除所述碳化硅衬底表面的外延层获得碳化硅衬底；将研磨处理后得到的碳化硅衬底放入清洗设备中，对所述碳化硅衬底进行清洗；将清洗后的所述碳化硅衬底放置在退火设备内，进行退火处理，修复碳化硅衬底的表面缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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