[发明专利]碳化硅衬底回收方法、碳化硅衬底及回收系统在审
| 申请号： | 201710889680.0 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109559972A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 孔苏苏 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L29/16;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 回收 回收系统 半导体制造技术 表面平整 表面缺陷 化学腐蚀 退火处理 物理研磨 研磨 可控的 外延层 外延片 划痕 延片 光滑 去除 半导体 修复 | ||
1.一种碳化硅衬底回收方法，其特征在于，所述方法包括：
将外延片放入腐蚀性溶液中进行腐蚀处理，其中，所述外延片包括碳化硅衬底及由氮化物半导体材料组成的外延层；
将腐蚀处理后的外延片放入研磨设备进行研磨处理，去除所述碳化硅衬底表面的外延层获得碳化硅衬底；
将研磨处理后得到的碳化硅衬底放入清洗设备中，对所述碳化硅衬底进行清洗；
将清洗后的所述碳化硅衬底放置在退火设备内，进行退火处理，修复碳化硅衬底的表面缺陷。
2.如权利要求1所述的回收方法，其特征在于，所述腐蚀性溶液为碱性溶液。
3.如权利要求2所述的回收方法，其特征在于，所述碱性溶液是浓度为10％-60％的氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液。
4.如权利要求2-3任意一项所述的碳化硅衬底回收方法，其特征在于，所述碱性溶液的温度为50-80摄氏度。
5.如权利要求1-3任意一项所述的碳化硅衬底回收方法，其特征在于，所述退火处理采用的退火气氛为氢气、退火温度为1300-1600℃，退火压力为0.1-1atm，退火时间为10-30分钟。
6.一种碳化硅衬底，其特征在于，所述碳化硅衬底为采用权利要求1-5中任意一项所述碳化硅衬底回收方法获得；
所述碳化硅衬底为4H-SiC或6H-SiC。
7.如权利要求6所述的碳化硅衬底，其特征在于，在所述研磨处理后，所述碳化硅衬底表面粗糙度RMS低于5nm，所述碳化硅衬底翘曲低于20um。
8.如权利要求6所述的碳化硅衬底，其特征在于，经过清洗后的所述碳化硅衬底表面的粘污金属低于5×1010atoms/cm2。
9.如权利要求6所述的碳化硅衬底，其特征在于，经过退火处理后所述碳化硅衬底的表面粗糙度RMS低于1nm。
10.一种回收系统，其特征在于，所述回收系统包括：腐蚀设备、研磨设备、清洗设备及退火设备，其中，所述腐蚀设备中装有腐蚀性溶液；
所述腐蚀设备，用于对放入腐蚀性溶液中的外延片进行腐蚀处理，其中，所述外延片包括碳化硅衬底及由氮化物半导体材料组成的外延层；
所述研磨设备，用于将腐蚀处理后的外延片进行研磨处理，去除所述碳化硅衬底表面的外延层获得碳化硅衬底；
所述清洗设备，用于对研磨处理后得到的碳化硅衬底进行清洗；
所述退火设备，用于对清洗后的所述碳化硅衬底进行退火处理，修复碳化硅衬底的表面缺陷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
