[发明专利]一种压阻式MEMS温度传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201710888312.4 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107827077A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 余占清;王铁柱;蔡素雄;王晓蕊;高士森;黄泽荣;施理成 | 申请（专利权）人： | 广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)11594 | 代理人： | 王冲,吴鑫 |
| 地址： | 516000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种涉及微机电系统领域的压阻式MEMS温度传感器。该传感器主要采用双层膜结构和惠斯通电桥技术。采用压阻式悬臂梁结构，将惠斯通电桥的四个电阻布置在四个悬臂梁的相同位置，通过引线将四个电阻连接成惠斯通电桥。能够放在狭窄的空间内直接进行点位置的温度测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压阻式 mems 温度传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：所述压阻式MEMS温度传感器采用双层膜结构，上层为热膨胀系数较大的金属铝膜，下层为SOI器件层的半导体硅，硅的表面进行离子注入，在半导体硅的表面设置四个扩散电阻，组成惠斯通电桥。
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