[发明专利]一种压阻式MEMS温度传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201710888312.4 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107827077A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 余占清;王铁柱;蔡素雄;王晓蕊;高士森;黄泽荣;施理成 | 申请（专利权）人： | 广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)11594 | 代理人： | 王冲,吴鑫 |
| 地址： | 516000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压阻式 mems 温度传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：所述压阻式MEMS温度传感器采用双层膜结构，上层为热膨胀系数较大的金属铝膜，下层为SOI器件层的半导体硅，硅的表面进行离子注入，在半导体硅的表面设置四个扩散电阻，组成惠斯通电桥。
2.根据权利要求1所述的压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：将惠斯通电桥的四个电阻布置在不同的四个悬臂梁的相同位置，引线将四个电阻连接成惠斯通电桥。
3.根据权利要求2所述的压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：其采用悬臂梁式结构。
4.根据权利要求3所述的压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：所述电阻的位置大致在距离悬臂梁固定端20μm处。
5.根据权利要求4所述的压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：所述悬臂梁的长度L为500μm，宽度为50μm，铝层厚度为1.5μm，硅层厚度为8μm。
6.根据权利要求1-5任意一种所述的压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：所述的压阻式MEMS温度传感器用于开关柜温度监测。
7.一种制作权利要求6所述的压阻式MEMS温度传感器的方法，其特征在于：制作工艺步骤如下：
(1)要在N型SOI硅片的表面进行离子注入，形成电阻；
(2)用BF(氟化硼)进行离子注入，其过程为：利用经过了电场加速的元素离子以一定速度射入固体材料表面形成掺杂；
(3)确定接触孔，由于在硅片的表面形成电阻，接触孔就是一个导电端子，对电阻形成的惠斯通电桥供电或者输出，其材料是采用上层膜结构中的铝层；
(4)形成氧化层，溅射铝层；
(5)正面涂PI(聚酰亚胺)胶固化；
(6)反面刻蚀，掏空，释放悬臂梁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学，未经广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710888312.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大流量高温烟气冷却器
- 下一篇：传感器的制造方法及由此方法制造的传感器
