[发明专利]超低寄生电容二极管的制备工艺有效
| 申请号： | 201710885058.2 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107611028B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种超低寄生电容二极管的制备工艺，包括：提供高阻值的P型半导体衬底；在部分所述P型半导体衬底的表面形成P型掺杂区；对所述P型半导体衬底进行热退火工艺处理，所述P型半导体衬底转变为N型半导体衬底，所述P型掺杂区与所述N型半导体衬底形成超低寄生电容二极管。本发明中，通过对热退火工艺温度、时间的调节，衬底中的氧施主浓度逐渐增加，使得超低掺杂的P型衬底逐渐转变为N型，不断地测量PN结的漏电流或电容可以使得低掺杂P型衬底在刚转变成N型衬底时便停止退火工艺，从而形成高阻值的N型衬底，使得先前形成的P型掺杂区和N型半导体衬底形成超低寄生电容二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生 电容 二极管 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种超低寄生电容二极管的制备工艺，其特征在于，包括：提供高阻值的P型半导体衬底；在部分所述P型半导体衬底的表面形成P型掺杂区；对所述P型半导体衬底进行热退火工艺处理，所述P型半导体衬底转变为N型半导体衬底，所述P型掺杂区与所述N型半导体衬底形成超低寄生电容二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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