[发明专利]超低寄生电容二极管的制备工艺有效
| 申请号： | 201710885058.2 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107611028B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 寄生 电容 二极管 制备 工艺 | ||
1.一种超低寄生电容二极管的制备工艺，其特征在于，包括：
提供高阻值的P型半导体衬底；
在部分所述P型半导体衬底的表面形成P型掺杂区；
对所述P型半导体衬底进行热退火工艺处理，使所述P型半导体衬底中的氧施主浓度增加，从而使所述P型半导体衬底转变为N型半导体衬底，所述P型掺杂区与所述N型半导体衬底形成超低寄生电容二极管。
2.如权利要求1所述的超低寄生电容二极管的制备工艺，其特征在于，在部分所述P型半导体衬底的表面掺杂硼离子，形成所述P型掺杂区。
3.如权利要求2所述的超低寄生电容二极管的制备工艺，其特征在于，掺杂硼离子的浓度为108原子个数/cm3～1010原子个数/cm3。
4.如权利要求1所述的超低寄生电容二极管的制备工艺，其特征在于，还包括：
测量所述超低寄生电容二极管的反向漏电流或电容；
当所述反向漏电流或电容未达到预设值时，继续进行所述热退火工艺处理，直至所述超低寄生二极管的反向漏电流或电容达到预设值。
5.如权利要求1所述的超低寄生电容二极管的制备工艺，其特征在于，所述热退火工艺处理的温度为300℃～500℃。
6.如权利要求1所述的超低寄生电容二极管的制备工艺，其特征在于，所述热退火工艺处理的时间为5min～20min。
7.如权利要求1所述的超低寄生电容二极管的制备工艺，其特征在于，所述P型半导体衬底的电阻率为大于500Ω·cm。
8.如权利要求1所述的超低寄生电容二极管的制备工艺，其特征在于，所述N型半导体衬底的电阻率为大于500Ω·cm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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